ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2SD2012
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - 2SD2012 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - 2SD2012
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A | |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 25 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 500mA, 5V | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA (ICBO) | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SD2 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics 2SD2012
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2SD2012 | 2SD2014 | 2SD2015 | 2SD2008 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | Sanken Electric USA Inc. | Sanken Electric USA Inc. | LAPIS Technology |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2SD2 | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F | TO-220F | TO-220F | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A | 1.5V @ 3mA, 3A | 1.5V @ 2mA, 2A | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 3 A | 4 A | 4 A | - |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN | NPN - Darlington | NPN - Darlington | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 60 V | 80 V | 120 V | - |
| ความถี่ - การเปลี่ยน | 3MHz | 75MHz | 40MHz | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 25 W | 25 W | 25 W | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE | 100 @ 500mA, 5V | 2000 @ 3A, 2V | 2000 @ 2A, 2V | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100µA (ICBO) | 10µA (ICBO) | 10µA (ICBO) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2SD2012 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ 2SD2012 - STMicroelectronics
2SD2008LAPIS Technology2SD2020LAPIS Technology
2SD1999-TDAMI Semiconductor/onsemi
2SD2000Panasonic2SD1998-TDAMI Semiconductor/onsemi
2SD2012(F,M)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SD2005-QLAPIS Technology2SD2028AMI Semiconductor/onsemi2SD2028-TBAMI Semiconductor/onsemi2SD2010T105PLAPIS Technology2SD2012(F)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SD2026AMI Semiconductor/onsemi2SD1999-TD-EAMI Semiconductor/onsemi2SD2014Sanken Electric USA Inc.TRANS NPN DARL 80V 4A TO220F2SD200Panasonic2SD2025LAPIS Technology2SD2015Sanken Electric USA Inc.TRANS NPN DARL 120V 4A TO220F2SD2010LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที