ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี A2P75S12M3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - A2P75S12M3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - A2P75S12M3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.3V @ 15V, 75A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ACEPACK™ 2 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 454.5 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | Yes | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.7 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | |
| องค์ประกอบ | Three Phase Inverter | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | A2P75 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics A2P75S12M3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | A2P75S12M3 | CM200DU-24F | FPF1C2P5MF07AM | CM500HA-34A |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | Powerex Inc. | Fairchild Semiconductor | Powerex Inc. |
| ชุด | - | IGBTMOD™ | - | IGBTMOD™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ACEPACK™ 2 | Module | F1 | Module |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | A2P75 | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Module | Module | F1 Module | Module |
| องค์ประกอบ | Three Phase Inverter | Half Bridge | Full Bridge Inverter | Single |
| กทช Thermistor | Yes | No | No | No |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | 1 mA | 25 µA | 1 mA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 454.5 W | 890 W | 231 W | 5000 W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 620 V | 1700 V |
| อินพุต | Standard | Standard | Single Phase Bridge Rectifier | Standard |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 75 A | 200 A | 39 A | 500 A |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.7 nF @ 25 V | 78 nF @ 10 V | - | 120 nF @ 10 V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.3V @ 15V, 75A | 2.4V @ 15V, 200A | 1.6V @ 15V, 30A | 2.8V @ 15V, 500A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล A2P75S12M3 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ A2P75S12M3 - STMicroelectronics
CM200DU-24FPowerex Inc.IGBT MOD 1200V 200A 890WFPF1C2P5MF07AMFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOCM500HA-34APowerex Inc.IGBT MOD 1700V 500A 5000W
F3L300R12MT4_B22Infineon TechnologiesF3L300R12 - IGBT MODULE
MIXA150R1200VAIXYSIGBT MOD 1200V 220A 695W V1A-PAKCM50TF-24HPowerex Inc.IGBT MOD 1200V 50A 400WCM400HA-34HPowerex Inc.IGBT MOD 1700V 400A 4100WFMS6G10US60Fairchild SemiconductorIGBT, 10A, 600V, N-CHANNELMUBW10-12A7IXYSIGBT MODULE 1200V 20A 105W E2CM75BU-12HPowerex Inc.IGBT MODULE 600V 75A 310W
CPV363M4KVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2MIAA20WB600TMHIXYSIGBT MOD 600V 29A 100W MINIPACK2CM200TU-12HPowerex Inc.IGBT MOD 600V 200A 650WCM200DU-12HPowerex Inc.IGBT MOD 600V 200A 650WMUBW30-12A6IXYSIGBT MODULE 1200V 31A 104W E1CM100TU-12FPowerex Inc.IGBT MOD 600V 100A 350WCM150TL-12NFPowerex Inc.IGBT MOD 600V 150A 730WIXSN52N60AU1IXYSIGBT MOD 600V 80A 250W SOT227B| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที