ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี L6386D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - L6386D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - L6386D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 17V (Max) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 14-SO | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 50ns, 30ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.5V, 3.6V | |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 400mA, 650mA | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | L6386 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics L6386D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | L6386D | L6386ED | L6385ED | L6385ED013TR |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 2 | 2 | 2 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | L6386 | L6386 | L6385 | L6385 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 17V (Max) | 17V (Max) | 17V (Max) | 17V (Max) |
| ประเภทขาเข้า | Inverting | Inverting | Inverting | Inverting |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 14-SO | 14-SO | 8-SOIC | 8-SOIC |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 1.5V, 3.6V | 1.5V, 3.6V | 1.5V, 3.6V | 1.5V, 3.6V |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | 400mA, 650mA | 400mA, 650mA | 400mA, 650mA | 400mA, 650mA |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| ประเภทประตู | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | 50ns, 30ns | 50ns, 30ns | 50ns, 30ns | 50ns, 30ns |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| ชุด | - | - | - | - |
L6386EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6385EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6385ED013STML6385ED013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6387-LF/22STMicroelectronicsL6387L6386D013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6386ADTRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
L6387ESTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPL6386ED013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6386L6386-PLFSTMicroelectronicsL6387DSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6385D013TRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6387DTRSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6387EDSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOL6386ADSTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOL6385ESTMicroelectronicsIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที