ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STI15NM60N
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STI15NM60N คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STI15NM60N
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK | |
ชุด | MDmesh™ II | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 7A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1250 pF @ 50 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STI15N |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STI15NM60N
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STI15NM60N | STI18N65M2 | STI18NM60N | STI21N65M5 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ชุด | MDmesh™ II | MDmesh™ M2 | MDmesh™ II | MDmesh™ V |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±25V | ±25V | ±25V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | I2PAK | I2PAK | I2PAK (TO-262) | I2PAK |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STI15N | STI18 | STI18N | STI21 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 7A, 10V | 330mOhm @ 6A, 10V | 285mOhm @ 6.5A, 10V | 179mOhm @ 8.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1250 pF @ 50 V | 770 pF @ 100 V | 1000 pF @ 50 V | 1950 pF @ 100 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 125W (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) | 12A (Tc) | 13A (Tc) | 17A (Tc) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 650 V | 600 V | 650 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STI15NM60N PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STI15NM60N - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที