ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STL33N65M2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STL33N65M2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STL33N65M2
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (8x8) HV | |
ชุด | MDmesh™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 154mOhm @ 10A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1790 pF @ 100 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 41.5 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL33 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STL33N65M2
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STL33N65M2 | STL30P3LLH6 | STL35N15F3 | STL36N60M6 |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
Vgs (สูงสุด) | ±25V | ±20V | ±20V | ±25V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 20A (Tc) | 30A (Tc) | 33A (Tc) | 25A (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | MDmesh™ | DeepGATE™, STripFET™ VI | STripFET™ III | MDmesh™ M6 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STL33 | STL30 | STL35 | STL36 |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA (Min) | 4V @ 250µA | 4.75V @ 250µA |
ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PowerFlat™ (8x8) HV | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (8x8) HV |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1790 pF @ 100 V | 1450 pF @ 25 V | 1905 pF @ 25 V | 1960 pF @ 100 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 154mOhm @ 10A, 10V | 30mOhm @ 4.5A, 10V | 40mOhm @ 3.5A, 10V | 110mOhm @ 12.5A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 150W (Tc) | 75W (Tc) | 80W (Tc) | 160W (Tc) |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 30 V | 150 V | 600 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 41.5 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 49.4 nC @ 10 V | 44.3 nC @ 10 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STL33N65M2 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STL33N65M2 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที