ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP17NF25
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP17NF25 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP17NF25
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
ชุด | STripFET™ II | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 8.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP17 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP17NF25
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
|||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP17NF25 | STP180N55F3 | STP17NK40ZFP | STP180NS04ZC |
ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 8.5A, 10V | 3.8mOhm @ 60A, 10V | 250mOhm @ 7.5A, 10V | 4.2mOhm @ 40A, 10V |
ชุด | STripFET™ II | STripFET™ | SuperMESH™ | SAFeFET™ |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | STP17 | STP180 | STP17 | STP180 |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220FP | TO-220 |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 55 V | 400 V | 33 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 4V @ 1mA |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 90W (Tc) | 330W (Tc) | 35W (Tc) | 330W (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1000 pF @ 25 V | 6800 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 4560 pF @ 25 V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | 120A (Tc) | 15A (Tc) | 120A (Tc) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP17NF25 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STP17NF25 - STMicroelectronics
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที