ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STP5NB60
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - STP5NB60 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - STP5NB60
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | PowerMESH™ | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 884 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics STP5NB60
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STP5NB60 | STP5NB40 | STP5N95K5 | STP5NA90FI |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 600 V | 400 V | 950 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5A (Tc) | 4.7A (Tc) | 3.5A (Tc) | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2.5A, 10V | 1.8Ohm @ 2.3A, 10V | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 884 pF @ 25 V | 405 pF @ 25 V | 220 pF @ 100 V | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 12.5 nC @ 10 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 100W (Tc) | 80W (Tc) | 70W (Tc) | - |
| ชุด | PowerMESH™ | PowerMESH™ | SuperMESH5™ | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล STP5NB60 PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ STP5NB60 - STMicroelectronics
STP5NA90FISTMicroelectronicsSTP5NA60FISTMicroelectronicsSTP5NB40STMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 4.7A TO220ABSTP5NB100STMicroelectronicsSTP5NB60FISTMicroelectronicsSTP5NA60STMicroelectronicsSTP5NB100FPSTMicroelectronicsSTP5NC50FPSTMicroelectronicsSTP5NB90FPSTMicroelectronicsSTP5NA50STMicroelectronicsSTP5N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 3.5A TO220STP5NA80STMicroelectronicsSTP5NC70ZFPSTMicroelectronicsSTP5NB60FPSTMicroelectronicsSTP5NC50STMicroelectronicsSTP5NB80FPSTMicroelectronicsSTP5NB90STMicroelectronicsSTP5NA80FP MOSSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที