ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี T830-800W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - T830-800W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - T830-800W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1.3 V | |
| ประเภท Triac | Alternistor - Snubberless | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOWATT220AB | |
| ชุด | Snubberless™ | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOWATT220AB-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 8 A | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 100A, 105A | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 50 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 30 mA | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | T830 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics T830-800W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | T830-800W | T835-600B | T835-800B-TR | T835-600G-TR |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 800 V | 600 V | 800 V | 600 V |
| ประเภท Triac | Alternistor - Snubberless | Alternistor - Snubberless | Alternistor - Snubberless | Alternistor - Snubberless |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Single |
| ชุด | Snubberless™ | Snubberless™ | Snubberless™ | Snubberless™ |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 100A, 105A | 80A, 84A | 80A, 84A | 80A, 84A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOWATT220AB-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V | 1.3 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | T830 | T835 | T835 | T835 |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOWATT220AB | DPAK | DPAK | D2PAK |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 50 mA | 35 mA | 35 mA | 35 mA |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 30 mA | 35 mA | 35 mA | 35 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล T830-800W PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ T830-800W - STMicroelectronics
T835-800BSTMicroelectronicsT835-600BSTMicroelectronicsTRIAC ALTERNISTOR 600V 8A DPAKT835-800B-TRSTMicroelectronicsTRIAC ALTERNISTOR 800V 8A DPAKT830T-8FPSTMicroelectronics
T830N12TOFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleT830N16TOFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
T8306BXTMTECHT835-400B-TRSTMicroelectronicsT835-400BTRSTMicroelectronicsT830N18TOFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleT835-600G-TRSTMicroelectronicsTRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAKT835-600B-TRSTMicroelectronicsTRIAC ALTERNISTOR 600V 8A DPAK
T83-A90XEPCOS (TDK)
T835-600GSTMicroelectronicsTRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAKT830N14TOFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module
T835-600HSTMicroelectronicsTRIAC ALTERNISTOR 600V 8A IPAKT830320101PANA-SEMIT835-600STMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที