ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี TXN612RG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ STMicroelectronics - TXN612RG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ STMicroelectronics - TXN612RG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.6 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1.5 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 12 A | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 8 A | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 120A, 125A | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 30 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 15 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TXN612 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ STMicroelectronics TXN612RG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | TXN612RG | TXN625RG | TYN816RG | 2N689 |
| ผู้ผลิต | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 120A, 125A | 300A, 314A | 160A, 167A | 150A @ 60Hz |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 1.5 V | 1.3 V | 1.5 V | 2 V |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 30 mA | 50 mA | 40 mA | 50 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-208AA, TO-48-3, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220 | TO-220AB Insulated | TO-220 | TO-48 |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | 5 µA | 5 µA | 2 mA |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 15 mA | 40 mA | 25 mA | 40 mA |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 600 V | 600 V | 800 V | 500 V |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 12 A | 25 A | 16 A | 25 A |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | Standard Recovery | Standard Recovery | Standard Recovery |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TXN612 | TXN625 | TYN816 | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 8 A | 16 A | 10 A | 16 A |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.6 V | 1.6 V | 1.6 V | 2 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล TXN612RG PDF และเอกสาร STMicroelectronics สำหรับ TXN612RG - STMicroelectronics
TXN625RGSTMicroelectronicsSCR 600V 25A TO220ABTYN816RGSTMicroelectronicsSCR 800V 16A TO220AB
TXN132241013AS1Intel2N689Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR
S6012RTPLittelfuse Inc.SCR 600V 12A TO220ABTXN21125D000002IntelTXN181172013X67IntelIGBT Module
C122F1GLittelfuse Inc.SCR 50V 8A TO220ABTXN133014015A01Intel
MCR100-8GMotorolaSCR, TO-92, 600V, 0.8A, SENS GAT
10TTS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 800V 10A TO220AB
MCR218-6GonsemiSILICON CONTROLLED RECTIFIER, 8ATXN31115D200001Intel
TCR22-6Littelfuse Inc.SCR 400V 1.5A TO922N6509onsemiTHYRISTOR SCR 25A 800V TO220AB
MCR12DSN-1GLittelfuse Inc.SCR 800V 12A IPAKC228DSolid State Inc.35 AMP SCR T0-48
VS-80RIA120PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 1.2KV 125A TO209AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที