ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี G5S12005C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Global Power Technology-GPT - G5S12005C คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Global Power Technology-GPT - G5S12005C
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | SemiQ | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20.95A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 424pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Global Power Technology-GPT G5S12005C
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | G5S12005C | 1N3736R | R9G04212XX | LL4448 |
| ผู้ผลิต | Global Power Technology-GPT | Powerex Inc. | Powerex Inc. | Diotec Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | - | DO-200AB, B-PUK | SOD-80C |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | - | - | -50°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Clamp On | Surface Mount |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20.95A | - | 1200A | 150mA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | - | 25 µs | 4 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 1200 V | - | 150 mA @ 4200 V | 5 µA @ 75 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | DO-200AB, B-PUK | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 424pF @ 0V, 1MHz | - | - | 4pF @ 0V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | - | 4200 V | 75 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 5 A | - | 1.45 V @ 1500 A | 1 V @ 100 mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล G5S12005C PDF และเอกสาร Global Power Technology-GPT สำหรับ G5S12005C - Global Power Technology-GPT
G5SB-14-12VDCOmron Electronic Components1N3736RPowerex Inc.RECTIFIER STUD MOUNT DO-9R9G04212XXPowerex Inc.DIODE GP 4.2KV 1200A DO200ABLL4448Diotec SemiconductorDIODE SOD-80 100V 0.15A 4NS
S2MA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMAG5SB-14-DC24Omron Electronic ComponentsG5S-1-12VDCOmron Electronic Components
G5SB-1A4 DC12Omron Electronics Inc-EMC DivRELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12VG5SB-1A4-12VDCOmron Electronic Components
RF201L2SDDTE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 2A PMDSG5SB-1-24VDCOmron Electronic ComponentsG5SB-14 DC24Omron Electronics Inc-EMC DivRELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 24VG5SB-14-DC12VOmron Electronic Components
IDW50E60Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3
CTS520,L3FToshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2G5SB-14 DC12Omron Electronics Inc-EMC DivRELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 12V
FDLL485BFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 180V 200MA SOD80
G5SBA60-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.8A GBU| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที