ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 243NQ100R-1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ SMC Diode Solutions - 243NQ100R-1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ SMC Diode Solutions - 243NQ100R-1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 860 mV @ 240 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PRM1-1 (Half Pak Module) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | HALF-PAK |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 6 mA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4800pF @ 5V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 243NQ |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ SMC Diode Solutions 243NQ100R-1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 243NQ100R-1 | STTH802B | 10BQ040 | DSEI8-06AS |
| ผู้ผลิต | SMC Diode Solutions | STMicroelectronics | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IXYS Corporation |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4800pF @ 5V, 1MHz | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 243NQ | STTH802 | 10BQ040 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 6 mA @ 100 V | 6 µA @ 200 V | 100 µA @ 40 V | 20µA @ 600V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 40 V | 600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PRM1-1 (Half Pak Module) | DPAK | DO-214AA (SMB) | TO-263AB |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 240A | 8A | 1A | 8A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | 175°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 860 mV @ 240 A | 1.05 V @ 8 A | 530 mV @ 1 A | 1.5V @ 8A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | HALF-PAK | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-214AA, SMB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | FRED |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tube | Bulk | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 243NQ100R-1 PDF และเอกสาร SMC Diode Solutions สำหรับ 243NQ100R-1 - SMC Diode Solutions
STTH802BSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
2431-03VS-0-003Artesyn Embedded Power10BQ040Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA2431B1NZACNADSEI8-06ASIXYS CorporationDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
243NQ100RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 240A D-67
BAT54LPS-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DFN243NQ080Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 80V 240A D-67243NQ090IRIGBT Module
SMMSD4148T3GonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123243NQ100PBFIRIGBT Module
2431BZACTexas InstrumentsESH2D-E3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA2431-03VS-T-012Artesyn Embedded Power
243NQ100EFairchild (onsemi)IGBT Module
BAS20W-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 200MA SOT323243NQ100Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 240A D-67243NQ035IRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที