ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N2067R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N2067R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N2067R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 900 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N2067R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N2067R | 1N2068R | 1N2068R | 1N2128A |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Box |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-9 | DO-9 | DO-205AB (DO-9) | DO-5 |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 900 V | 75 µA @ 1000 V | 75 µA @ 1000 V | 25 µA @ 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 200°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.25 V @ 200 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 275A | 275A | 275A | 70A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | 1000 V | 1000 V | 50 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N2067R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N2067R - Solid State Inc.
1N2068RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 275A DO91N2068RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 275A DO205AB1N2128ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 70A DO51N2066Microchip TechnologyDIODE GP 800V 275A DO205AB DO91N2066RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 800V 275A DO205AB1N2065RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 275A DO91N2065Microchip TechnologyDIODE GP 700V 275A DO205AB DO9
1N2128AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 60A DO51N2066RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 275A DO91N2065Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 275A DO91N2128Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 70A DO51N2068Microchip TechnologyDIODE GP 1KV 275A DO205AB DO91N2065RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 700V 275A DO205AB1N2068Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 275A DO91N2128AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO51N2128Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 70A DO51N2066Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 275A DO91N2067RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 900V 275A DO205AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที