ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N249A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N249A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N249A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N249A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N249A | 1N249B | 1N2496 | 1N249RA |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 500 V | 10 µA @ 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-4 (DO-203AA) | DO-5 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 6A | 40A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.3 V @ 30 A | 1.19 V @ 90 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 500 V | 100 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Box |
1N249BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 40A DO5
1N2500MicrosemiIGBT Module1N2496Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 6A DO41N2497AMicrosemiIGBT Module1N249RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N249RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N2498MicrosemiIGBT Module1N249RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO51N2497Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 6A DO41N250Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 40A DO51N2497RMicrosemiIGBT Module1N250Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO51N2496RMicrosemiIGBT Module1N2498RMicrosemiIGBT Module1N2499MicrosemiIGBT Module1N249BMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO51N249AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 40A DO51N2500RMicrosemiIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที