ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3139
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3139 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3139
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 350 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3139
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3139 | 1N3140 | 1N3139 | 1N3141 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A | 1.2 V @ 200 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 350 V | 50 µA @ 100 V | 50 µA @ 50 V | 50 µA @ 150 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | 100 V | 50 V | 150 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 100A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
1N3140Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 100A DO8
1N3111IRIGBT Module1N3091RIRIGBT Module1N3090IRIGBT Module1N3089IRIGBT Module1N3092IRIGBT Module1N3092RIRIGBT Module1N3091IRIGBT Module1N3139Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 100A DO205AA1N3141Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 100A DO205AA1N3140RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO81N3090RIRIGBT Module1N3141Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 100A DO81N3089RIRIGBT Module
1N3142AMicrosemiIGBT Module1N3142Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO81N3142Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA1N3140Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 100A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที