ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3290
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3290 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3290
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3290
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3290 | 1N3289A | 1N3290R | 1N3289A |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | 24 mA @ 200 V | 24 mA @ 300 V | 50 µA @ 200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.5 V @ 100 A | 1.2 V @ 200 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 100A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-8 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 200 V | 300 V | 200 V |
1N3289AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA1N3290RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 100A DO205AA1N3289ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 100A DO8
1N3290AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3290RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 100A DO81N3289RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 100A DO8
1N3290ARPowerex Inc.DIODE GP REV 300V 100A DO205AA1N3289ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3289ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 200V 100A DO205AA1N3290ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 100A DO81N3289RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3290Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 100A DO205AA1N3289ARPowerex Inc.DIODE GP REV 200V 100A DO205AA1N3290RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3290APowerex Inc.DIODE GEN PURP 300V 100A DO205AA1N3290RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 100A DO81N3290Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3290ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที