ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3290RA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3290RA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3290RA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3290RA
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3290RA | 1N3291A | 1N3291A | 1N3290A |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Powerex Inc. | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-8 | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) | DO-205AA (DO-8) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 50 µA @ 300 V | 24 mA @ 400 V | 24 mA @ 400 V | 200 µA @ 300 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -40°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 A | 1.5 V @ 100 A | 1.5 V @ 100 A | 1.1 V @ 200 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 300 V | 400 V | 400 V | 300 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100A | 100A | 100A | 150A |
1N3291AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA1N3291APowerex Inc.DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA1N3290AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3291AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3291ARGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 400V 100A DO205AA1N3290ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 100A DO81N3290APowerex Inc.DIODE GEN PURP 300V 100A DO205AA1N3291Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3291ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 100A DO81N3291ARPowerex Inc.DIODE GP REV 400V 100A DO205AA1N3290ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3290Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 100A DO81N3290RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 100A DO81N3290ARPowerex Inc.DIODE GP REV 300V 100A DO205AA1N3290Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3290RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3291ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3290RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 100A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที