ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3889
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3889 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3889
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 38 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 400 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3889
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3889 | 1N3890 | 1N3890 | 1N3889R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 | DO-4 | DO-203AA (DO-4) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 400 ns | 200 ns | 400 ns | 200 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 100 V | 100 V | 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 115pF @ 10V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | Military, MIL-PRF-19500/304 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 38 A | 1.4 V @ 12 A | 1.5 V @ 38 A | 1.5 V @ 20 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 100 V | 10 µA @ 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3889 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3889 - Solid State Inc.
1N3886JANMSC/STIGBT Module1N3890GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 12A DO41N3886JANTXMSC/STIGBT Module
1N3889ARMicrosemiIGBT Module1N3886RMSCIGBT Module1N3887RJANTXMSC/STIGBT Module1N3889ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3889JANTXMSC/STIGBT Module1N3887RMSCIGBT Module1N3890Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 12A DO41N3889RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3889Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3890Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3890ASolid State Inc.12 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER D1N3889GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 12A DO41N3889RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 12A DO41N3888MSCIGBT Module1N3887MSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที