ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N2323
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 2N2323 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 2N2323
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 2.2 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 50 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 125°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 1.6 A | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 1.6 A | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 15A @ 60Hz | |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 2 mA | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 2N2323
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N2323 | 2N2323 | 2N2323S | 2N2324 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 2.2 V | - | - | 2.2 V |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 200 µA | 200 µA | 200 µA | 200 µA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 125°C (TJ) | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 1.6 A | - | - | 1.6 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 50 V | 50 V | 50 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 10 µA | - | - | 10 µA |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 1.6 A | 220 mA | 220 mA | 1.6 A |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 15A @ 60Hz | - | - | 15A @ 60Hz |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 800 mV | 800 mV | 800 mV | 800 mV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | TO-5 | TO-5 | TO-5 |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด) | 2 mA | 2 mA | 2 mA | 2 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | Military, MIL-PRF-19500/276 | - | - |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | Sensitive Gate | Sensitive Gate | Standard Recovery |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N2323 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 2N2323 - Solid State Inc.
2N2369onsemiTRANS NPN 15V 0.2A TO18
2N2324SJ2n2324SUNI
2N2369Microchip TechnologySMALL-SIGNAL BJT2N2223AMicrochip TechnologyDUAL SMALL-SIGNAL BJT2N2297MOTOROLA2N2270Microchip TechnologyTRANSISTOR POWER BJT2N2222AUBMicrochip TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A 3SMD2N2222APBFREECentral Technologies2N2273AMI Semiconductor/onsemi
2N2222AUBTT Electronics/Optek TechnologyTRANS NPN 50V 0.8A SMD2N2323Microchip TechnologySCR 50V TO5
2N2223ACentral Semiconductor CorpTRANS 2NPN 500MA 60V TO78-62N2323SMicrochip TechnologySCR 50V TO52N2369AMicrochip TechnologyTRANS NPN 15V TO182N2324Solid State Inc.SCR 100V 1.6A TO52N2368Central SemiconductorTHROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI2N2243MOTOROLA2N2324Microchip TechnologySCR 100V 200UA TO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที