ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6661
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 2N6661 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 2N6661
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±40V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 1A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 6.25W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 90 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 900mA (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 2N6661
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6661 | 2N6661 | 2N6661 | 2N6660 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Vishay Siliconix | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 90 V | 90 V | 90 V | 60 V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tube | Bag | Box |
| Vgs (สูงสุด) | ±40V | ±20V | ±20V | ±40V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 1A, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 3Ohm @ 1A, 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 900mA (Tc) | 860mA (Tc) | 350mA (Tj) | 1.1A (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 24 V | 50 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 6.25W (Tc) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | 6.25W (Tc) | 6.25W (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6661 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 2N6661 - Solid State Inc.
2N6661Vishay SiliconixMOSFET N-CH 90V 860MA TO392N6661Microchip TechnologyMOSFET N-CH 90V 350MA TO39
2N6668STMicroelectronicsTRANS PNP DARL 80V 10A TO2202N6659MOTOROLA
2N6678Microchip TechnologyTRANS NPN 400V 15A TO204AD2N65LL-TM3-TUTC2N6609NTE Electronics, IncTRANS PNP 140V 16A TO2042N6609Microchip TechnologyPOWER BJT
2N6609onsemiTRANS PNP 140V 16A TO2042N6660Solid State Inc.MOSFET N-CH 60V 1.1A TO392N6678Solid State Inc.TRANS NPN TO3
2N6667GonsemiTRANS PNP DARL 60V 10A TO2202N6668GAMI Semiconductor/onsemi2N6660Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 410MA TO392N6668NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 80V 10A TO2202N6660Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD2N6667NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 60V 10A TO2202N6667onsemiTRANS PNP DARL 60V 10A TO220| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที