ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UES1306
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - UES1306 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - UES1306
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. UES1306
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UES1306 | UES701R | UES2603 | UES702 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 25A | 30A | 25A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 3 A | 950 mV @ 25 A | 930 mV @ 15 A | 950 mV @ 25 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 400 V | 20 µA @ 50 V | 20 µA @ 150 V | 20 µA @ 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-203AA (DO-4) | TO-204AD (TO-3) | DO-4 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 50 V | 150 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | TO-204AA, TO-3 | DO-203AA, DO-4, Stud |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล UES1306 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ UES1306 - Solid State Inc.
UES503MSCIGBT ModuleUES701HR2MSCIGBT ModuleUES701RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 25A DO203AAUES2603Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 30A TO204ADUES702Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 25A DO4
UES1E330MPMNichiconCAP ALUM 33UF 20% 25V RADIALUES703HR2MSCIGBT ModuleUES701Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 25A DO203AAUES703Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 25A DO203AAUES702HR2MSCIGBT ModuleUES702RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA
UES1306Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIALUES504MSCIGBT ModuleUES502RMSCIGBT ModuleUES703RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 25A DO203AAUES08A05L04BRIGHTKINUES504RMSCIGBT ModuleUES502MSCIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที