ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S29GL512S10DHA020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Spansion - S29GL512S10DHA020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Spansion - S29GL512S10DHA020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Spansion (Cypress Semiconductor) | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 60ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 64-FBGA (9x9) | |
| ชุด | GL-S | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 64-LBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S29GL512 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 100 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Spansion S29GL512S10DHA020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S29GL512S10DHA020 | S29GL512S10DHA023 | S29GL512S10DHI010 | S29GL512P12TFIV10 |
| ผู้ผลิต | Spansion | Spansion | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 60ns | 60ns | 60ns | 120ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| ชุด | GL-S | GL-S | GL-S | GL-P |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tray | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 64-LBGA | 64-LBGA | 64-LBGA | 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) |
| เวลาในการเข้าถึง | 100 ns | 100 ns | 100 ns | 120 ns |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32M x 16 | 32M x 16 | 32M x 16 | 32M x 16 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 1.65V ~ 3.6V |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S29GL512 | S29GL512 | S29GL512 | S29GL512 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 64-FBGA (9x9) | 64-FBGA (9x9) | 64-FBGA (9x9) | 56-TSOP |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | 512Mbit | 512Mbit | 512Mbit |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
S29GL512S10FAI01Spansion (Cypress Semiconductor)S29GL512S10DHA023SpansionIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAS29GL512S10DHI010Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAS29GL512P12TFIV13Spansion (Cypress Semiconductor)S29GL512P12TFIV10Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOPS29GL512P12TFIV20Cypress Semiconductor CorpIC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
S29GL512S10FHI010Nexperia USA Inc.S29GL512S - 512-Mbit (64 Mbyte),S29GL512S10DHI020ASpansion (Cypress Semiconductor)S29GL512S10DHA020Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
S29GL512P12FFIV20Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAS29GL512S10DHI010Nexperia USA Inc.S29GL512S - 512-Mbit (64 Mbyte),S29GL512S10DHSS13Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAS29GL512S10DHI020Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAS29GL512S10DHA023Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGAS29GL512P12TFIV1Spansion (Cypress Semiconductor)S29GL512P12FFIV2Spansion (Cypress Semiconductor)S29GL512R10TFIR10Spansion (Cypress Semiconductor)S29GL512P12TFIV10Nexperia USA Inc.S29GL512P - 512Mbit, 3V, Page F| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที