ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5223B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5223B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5223B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 2.7 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 100°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 30 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5223 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation 1N5223B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5223B | 1N5222B | 1N5222B-T | 1N5225B |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 75 µA @ 1 V | 100 µA @ 1 V | 100 µA @ 1 V | 50 µA @ 1 V |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 2.7 V | 2.5 V | 2.5 V | 3 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 100°C (TJ) | 200°C (TJ) | 175°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 30 Ohms | 30 Ohms | 1250 Ohms | 29 Ohms |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5223 | 1N5222 | 1N5222 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5223B PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ 1N5223B - Taiwan Semiconductor Corporation
1N5222BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5222B-TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 2.5V 500MW DO351N5225BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 3V 500MW
1N5225BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 3V 500MW DO35
1N5225BonsemiDIODE ZENER 3V 500MW DO35
1N5222Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5223BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 2.7V 500MW
1N5225BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 3V 0.5W 5% UNIDI1N5222BonsemiDIODE ZENER 2.5V 500MW DO35
1N5222B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 2.5V 500MW DO351N5223BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 2.7V 500MW DO351N5225BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5222BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 2.5V 500MW DO351N5222BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 2.5V 500MW DO351N5223BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 2.7V 500MW1N5223BMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5222BMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5223BonsemiDIODE ZENER 2.7V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที