ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BZD27C200P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - BZD27C200P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - BZD27C200P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 200 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±6% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Sub SMA | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-219AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 750 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 150 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZD27 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BZD27C200P | BZD27C22PW | BZD27C18P | BZD27C18P-E3-08 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ความอดทน | ±6% | ±5% | ±6.41% | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-219AB | SOD-123W | SOD-123 | DO-219AB |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 150 V | 1 µA @ 16 V | 1 µA @ 13 V | 1 µA @ 13 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 200 V | 22 V | 17.95 V | 18 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZD27 | BZD27 | BZD27 | BZD27 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Sub SMA | SOD-123W | Sub SMA | DO-219AB (SMF) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1 W | 1 W | 1 W | 800 mW |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 750 Ohms | 15 Ohms | 15 Ohms | 15 Ohms |
| ชุด | - | - | - | BZD27C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | 1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BZD27C200P PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ BZD27C200P - Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C22PWTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 22V 1W SOD123W
BZD27C18P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C18PTaiwan Semiconductor CorporationSUB SMA, 1000MW, 6%, ZENER DIODEBZD27C22P-GS18Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C20P RUTAIWANSEMICONDUCTORBZD27C18P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 18V 800MW DO219ABBZD27C22P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C20P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C16P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 16V 800MW DO219ABBZD27C16P_R1PANJITBZD27C22P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 22V 800MW DO219ABBZD27C180P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C200P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C18P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 18V 800MW DO219ABBZD27C18P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 18V 800MW DO219ABBZD27C180P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 180V 800MW DO219ABBZD27C16P_R1_00001PANJITBZD27C200P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 200V 800MW DO219AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที