ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BZX55B3V9
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - BZX55B3V9 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - BZX55B3V9
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 3.9 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | |
| ความอดทน | ±2% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 85 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 1 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZX55 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V9
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BZX55B3V9 | BZX55B20-TAP | BZX55B56-TR | BZX55C10 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ความอดทน | ±2% | ±2% | ±2% | ±5% |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 100 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.3 V @ 100 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZX55 | BZX55B20 | BZX55B56 | BZX55C10 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 85 Ohms | 55 Ohms | 135 Ohms | 15 Ohms |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 3.9 V | 20 V | 56 V | 10 V |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 1 V | 100 nA @ 15 V | 100 nA @ 43 V | 100 nA @ 7.5 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BZX55B3V9 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ BZX55B3V9 - Taiwan Semiconductor Corporation
BZX55B20-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 20V 500MW DO35
BZX54-10LUMILEDSBZX55B56-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 56V 500MW DO35BZX55B3V9-AYPANJITBZX55C10onsemiDIODE ZENER 10V 500MW DO35
BZX54C5V6Fairchild (onsemi)BZX55-C22LUMILEDSBZX52-C7V5SPANJITBZX55C 18V
BZX52-10Freescale / NXP SemiconductorsBZX55B4V7-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35BZX55C 10VBZX55B6V8-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.8V 500MW DO35BZX55C10Fairchild SemiconductorDIODE ZENER 10V 500MW DO35BZX55B6V2-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35BZX55B27-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 27V 500MW DO35BZX55B16-AYPANJITBZX55B22-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 22V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที