ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี D2SB80
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - D2SB80 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - D2SB80
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 15 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBL | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBL |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | D2SB80 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation D2SB80
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | D2SB80 | GBU1006 | GBPC2510-E4/51 | DB25-14 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diotec Semiconductor |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 15 A | 1 V @ 5 A | 1.1 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Box | Box |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | 10 A | 25 A | 25 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | D2SB80 | GBU1006 | GBPC2510 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBL | 4-SIP, GBU | 4-Square, GBPC | 5-Square, DB-35 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | QC Terminal | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1400 V |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Three Phase |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBL | GBU | GBPC | DB |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 600 V | 1 kV | 1.4 kV |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล D2SB80 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ D2SB80 - Taiwan Semiconductor Corporation
D2SW-P2L1BOmron Electronics Inc-EMC DivMINIATURE BASIC SWITCHGBU1006Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
D2SW-P2DOmron Electronics Inc-EMC DivSWITCH SNAP ACTION SPDT 2A 250V
D2SBA60SHINDENGENGBPC2510-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
D2SW-P2L1HOmron Electronics Inc-EMC DivSWITCH SNAP ACTION SPDT 2A 250VDB25-14Diotec Semiconductor3PH BRIDGE DB 1400V 25AD2SB60A-7000SHINDEN
DF005SDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFSD2SB60ASHINDENGE
D2SW-P2-3MS-40(S)Omron Electronic ComponentsD2SB60Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
VUO34-18NO1IXYSBRIDGE RECT 3P 1.8KV 36A V1-A
D2SW-P01L1HOmron Electronics Inc-EMC DivSWITCH SNAP ACT SPDT 100MA 125V
2KBP06MFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE
PB3506-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V 35A PBD2SBA20SHINDENGE
D2SW-01L1HOmron Electronics Inc-EMC DivSWITCH SNAP ACT SPDT 100MA 125V| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที