ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES1JFL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - ES1JFL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - ES1JFL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123F | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1J |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation ES1JFL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES1JFL | ES1J-LTP | ES1JL R3G | ES1JFL |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Micro Commercial Co | TSC (Taiwan Semiconductor) | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5µA @ 600V | 500 nA @ 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7V @ 1A | 1.7 V @ 1 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1J | ES1J | - | ES1 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35ns | 35 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | DO-214AC, SMA | DO-219AB | SOD-123F |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123F | DO-214AC (SMA) | Sub SMA | SOD-123F |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600V | 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES1JFL PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ ES1JFL - Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JL_RUGTaiwan SemiconductorES1JL-04RUTaiwan SemiconductorES1J-LTPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACES1JHR2GTaiwan SemiconductorES1JL R3GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMAES1J-SMAG-T5MDDES1JFLonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FES1JL-40 RUES1JAFonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ADES1J-LE_R1_00001PANJITES1JF R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FLES1JHFPANJIT
ES1J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACES1JT/R/ES1JTOSHIBA/PANJIT/XX
ES1J-M3/61TElectro-Films (EFI) / VishayES1J-R1PANJITES1JS T/RPANJIT
ES1J-NLFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที