ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBU807
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - GBU807 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - GBU807
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1.5 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU807 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation GBU807
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBU807 | GBU806 | GBU810 | GBU810 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8 A | 8 A | 8 A | 8 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1 kV | 600 V | 1 kV | 1 kV |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-ESIP |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1.5 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 4 A | 1.1 V @ 8 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | GBU | GBU | GBU |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU807 | GBU806 | GBU810 | GBU810 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBU807 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ GBU807 - Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBUGBU810Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
GBU810_HFLITEONGBU810SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
GBU860Diodes Incorporated
GBU8052Freescale / NXP Semiconductors
GBU806HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBU808Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 8A GBU
GBU8D-E3/72Electro-Films (EFI) / VishayGBU808SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBUGBU806Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 8A GBU
GBU805 C2Taiwan SemiconductorGBU808Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBUGBU806Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBUGBU804Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBUGBU810Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 8A GBUGBU806-TULITEONGBU806SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที