ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HS3M R6
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - HS3M R6 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - HS3M R6
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 3 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R6
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | HS3M R6 | HS3M R7 | HS3J V6G | HS3GB R5 |
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | - |
เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | - |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) | - |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 10µA @ 600V | - |
ชุด | - | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 3 A | 1.7 V @ 3 A | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | - |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 600V | - |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 75 ns | 75ns | - |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HS3M R6 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ HS3M R6 - Taiwan Semiconductor Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที