ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR3035CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - MBR3035CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - MBR3035CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 820 mV @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Schottky | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A (DC) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR3035CT | MBR3035PT | MBR3035PT | MBR3035PT-E3/45 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Solid State Inc. | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 820 mV @ 30 A | - | 760 mV @ 30 A | 760 mV @ 30 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-247-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 2 Independent | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| ประเภทไดโอด | Schottky | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | - | 1 mA @ 35 V | 1 mA @ 35 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-247 | TO-3P | TO-247AD (TO-3P) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 30A (DC) | 30A | 30A | 30A |
MBR3035PTSolid State Inc.30 AMP SCHOTTKY T0-218MBR3035PTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO3P
MBR3020PTElectro-Films (EFI) / VishayMBR3035PT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
MBR3020CTAMI Semiconductor/onsemi
MBR30200WTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247MBR3040PTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO3P
MBR3035WTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO247AC
MBR30200PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247MBR30200PTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-
MBR30200FCTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 200V 30A ITO-220AMBR3040CTPDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY SWITCH TO-220ABMBR3035PTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO247ADMBR3040CTAMI Semiconductor/onsemi
MBR30200CTYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 200V 30A TO-220ABMBR30300AMI Semiconductor/onsemiMBR30200CT_T0_00001-PECPANJITMBR3040FCTPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที