ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RSFJL RTG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - RSFJL RTG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - RSFJL RTG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 500 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Sub SMA | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 250 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-219AB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RSFJL |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation RSFJL RTG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RSFJL RTG | 70HFR80 | B160-13-F | MR1124R |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Solid State Inc. | Diodes Incorporated | Solid State Inc. |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 250 ns | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 200 µA @ 800 V | 500 µA @ 60 V | 500 µA @ 400 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 190°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500mA | 70A | 1A | 12A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Box |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz | - | 110pF @ 4V, 1MHz | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 60 V | 400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 500 mA | 1.3 V @ 70 A | 700 mV @ 1 A | 1 V @ 12 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RSFJL | - | B160 | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Sub SMA | DO-5 | SMA | DO-4 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-219AB | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-214AC, SMA | DO-203AA, DO-4, Stud |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RSFJL RTG PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ RSFJL RTG - Taiwan Semiconductor Corporation
RSF05G1-1PTOSSHIBA
RSF010P03LAPIS Technology
RSF100JT-52-4K7AGYageo
RSF05G1-5PTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraRSF010P05LAPIS TechnologyRSF010P05TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 45V 1A TUMT370HFR80Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 70A DO5RSF16F2FHT106LAPIS TechnologyB160-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 1A SMARSF010P05 TLLAPIS TechnologyRSF010P03TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
RSF2WSJT-73-15RYAGEORES 15 OHM 5% 2W AXIALRSF015N06TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3MR1124RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
DSS20-0015BIXYSDIODE SCHOTTKY 15V 20A TO220ACRSF010P03 TLLAPIS TechnologyRSF014N03TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3RSF014N03LAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที