ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S3G R7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - S3G R7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - S3G R7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation S3G R7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S3G R7 | S3G-E3/9AT | S3G R6 | S3G-13-F |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 3 A | 1.15 V @ 2.5 A | 1.15 V @ 3 A | 1.15 V @ 3 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | SMC |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.5 µs | 2.5 µs | 1.5 µs | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S3G R7 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ S3G R7 - Taiwan Semiconductor Corporation
S3G-4HE3/9ATElectro-Films (EFI) / VishayS3G-6600HE3/57TElectro-Films (EFI) / VishayS3G-6600HE3Electro-Films (EFI) / VishayS3G-6600/9TElectro-Films (EFI) / VishayS3G-6600HE3/59TElectro-Films (EFI) / VishayS3G-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABS3G-4HE3 A/HElectro-Films (EFI) / VishayS3G-4HE3Electro-Films (EFI) / VishayS3G-4/9GSI TechnologyS3G-6600HE3/9ATElectro-Films (EFI) / VishayS3G-4HE3_A/HElectro-Films (EFI) / VishayS3G-4/7TElectro-Films (EFI) / VishayS3G R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABS3G-3/9AGSS3G-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 3A SMCS3G-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABS3G-3HE3/9ATElectro-Films (EFI) / VishayS3G-6600Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译