ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี TSM4NB65CH
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4NB65CH คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4NB65CH
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-251 (IPAK) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.37Ohm @ 2A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 549 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13.46 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TSM4 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CH
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | TSM4NB65CH | TSM4NB60CI | TSM4NB60CP | TSM500N03CP ROG |
ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.37Ohm @ 2A, 10V | 2.5Ohm @ 2A, 10V | 2.5Ohm @ 2A, 10V | 50mOhm @ 8A, 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | 25W (Tc) | 50W (Tc) | 12.5W (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | TSM4 | TSM4 | TSM4 | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 549 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V | 270 pF @ 25 V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 13.46 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V | 7 nC @ 4.5 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-251 (IPAK) | ITO-220 | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 650 V | 600 V | 600 V | 30 V |
ชุด | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4A (Tc) | 4A (Tc) | 4A (Tc) | 12.5A (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล TSM4NB65CH PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ TSM4NB65CH - Taiwan Semiconductor Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที