ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UR2KB80
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - UR2KB80 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - UR2KB80
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 1 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D3K | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-ESIP |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UR2KB |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation UR2KB80
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UR2KB80 | GBPC3510 | M50100TB1000 | BU1006-E3/45 |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Sensata-Crydom | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | 35 A | 100 A | 3.2 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | - | 5 µA @ 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UR2KB | GBPC35 | M50100 | BU1006 |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 1 kV | 1 kV | 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-ESIP | 4-Square, GBPC | Module | 4-SIP, BU |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | QC Terminal | Chassis Mount | Through Hole |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Three Phase | Single Phase |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 1 A | 1.1 V @ 17.5 A | 1.2 V @ 100 A | 1.05 V @ 5 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D3K | GBPC | Module | isoCINK+™ BU |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล UR2KB80 PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ UR2KB80 - Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC3510onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPCUR233L-18-AAR-A-RUTCM50100TB1000Sensata-CrydomBRIDGE RECT 3P 1KV 100A MODULEUR233-3.3V-AUTCBU1006-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU
VUO98-12NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.2KV ECO-PAC2
GBJ804Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBJ
UR2KB60Taiwan Semiconductor Corporation2A, 600V, STANDARD BRIDGE RECTIF
VS-36MT60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 600V 35A D-63UR233L-33-AA3-AUTC
MBL110S-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A 4SMD
KBJ608GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBJUR233L-1.8-BUTC
VUO25-16NO8IXYSBRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A PWS-E1
CDBHD240-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1P 40V 2A MINI-DIP
UR230Z116WADI (Analog Devices, Inc.)
VUO160-14NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.4KV 175A PWS-E1
DF06MA-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที