ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี US1M R3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - US1M R3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - US1M R3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1M |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation US1M R3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | US1M R3G | US1KFA | US1KFA | US1M-13-F |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | SOD-123FA | SOD-123FA | SMA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | US1M | US1K | - | US1M |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 75 ns | 75 ns | 75 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | SOD-123W | SOD-123W | DO-214AC, SMA |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 800 V | 800 V | 1000 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล US1M R3G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ US1M R3G - Taiwan Semiconductor Corporation
US1M R1,00001PANJIT
US1M-E3-61TElectro-Films (EFI) / VishayUS1K_R1_00101PANJITUS1K/11TElectro-Films (EFI) / VishayUS1M T/RPANJITUS1KFAonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FAUS1M 2K/RUS1KFAFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FAUS1M-E3/5ATVishayUS1KT/RPANJITUS1K_R1_00001-PECPANJITUS1M-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
US1KSAFS-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FSUS1M-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1M-13-F-73Diodes IncorporatedUS1M SMASKUS1M-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMAUS1M-7-FDiodes Incorporated| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที