ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 74HCT02D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Toshiba Semiconductor and Storage - 74HCT02D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Toshiba Semiconductor and Storage - 74HCT02D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 14-SOIC | |
| ชุด | 74HCT | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | |
| จำนวนปัจจัยการผลิต | 2 | |
| จำนวนแผงวงจร | 4 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แม็กซ์ล่าช้าในการกระจาย @ V แม็กซ์ CL | 16ns @ 5.5V, 50pF | |
| ประเภทตรรกะ | NOR Gate | |
| ระดับตรรกะอินพุต - ต่ำ | 0.8V | |
| ระดับตรรกะอินพุต - สูง | 2V | |
| คุณลักษณะเด่น | - | |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด) | 1 µA | |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน | 4mA, 4mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 74HCT02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT02D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 74HCT02D | 74HCT00PW,118 | 74HCT00PW,118 | 74HCT00S14-13 |
| ผู้ผลิต | Toshiba Semiconductor and Storage | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. | Diodes Incorporated |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 14-SOIC | 14-TSSOP | 14-TSSOP | 14-SO |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทตรรกะ | NOR Gate | NAND Gate | NAND Gate | NAND Gate |
| ชุด | 74HCT | 74HCT | 74HCT | 74HCT |
| ระดับตรรกะอินพุต - ต่ำ | 0.8V | 0.8V | 0.8V | 0.8V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แม็กซ์ล่าช้าในการกระจาย @ V แม็กซ์ CL | 16ns @ 5.5V, 50pF | 12ns @ 4.5V, 50pF | 12ns @ 4.5V, 50pF | 22ns @ 4.5V, 50pF |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 74HCT02 | 74HCT00 | 74HCT00 | 74HCT00 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C (TA) |
| ระดับตรรกะอินพุต - สูง | 2V | 2V | 2V | 2V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน | 4mA, 4mA | 4mA, 4mA | 4mA, 4mA | 4mA, 4mA |
| จำนวนแผงวงจร | 4 | 4 | 4 | 4 |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด) | 1 µA | 40 µA | 40 µA | 20 µA |
| จำนวนปัจจัยการผลิต | 2 | 2 | 2 | 2 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| คุณลักษณะเด่น | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 74HCT02D PDF และเอกสาร Toshiba Semiconductor and Storage สำหรับ 74HCT02D - Toshiba Semiconductor and Storage
74HCT00PW,118Nexperia USA Inc.IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
74HCT02D+653Freescale / NXP Semiconductors74HCT02DBFreescale / NXP Semiconductors74HCT00DBFreescale / NXP Semiconductors74HCT02D/CFreescale / NXP Semiconductors74HCT00PW,118NXP USA Inc.IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-TSSOP
74HCT02PWLUMILEDS74HCT00PWLUMILEDS74HCT00S14-13Diodes IncorporatedIC GATE NAND 4CH 2-INP 14SO
74HCT02MSTMicroelectronics74HCT00NPHILIPIS74HCT03DLUMILEDS74HCT00DRFreescale / NXP Semiconductors
74HCT02D,653NXP USA Inc.NOW NEXPERIA 74HCT02D - NOR GATE74HCT00T14-13Diodes IncorporatedIC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP74HCT02STMicroelectronics
74HCT02D,653Nexperia USA Inc.IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO
74HCT02APTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที