ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี TPCF8107,LF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 100µA | |
Vgs (สูงสุด) | +20V, -25V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | VS-8 (2.9x1.5) | |
ชุด | U-MOSVI | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 700mW (Ta) | |
บรรจุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | |
ชื่ออื่น | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 970pF @ 10V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22nC @ 10V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | |
คำอธิบายโดยละเอียด | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8107,LF
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | TPCF8107,LF | TPCF8108(TE85LFM) | TPCF8107 | TPCF8108(TE85L,F,M) |
ผู้ผลิต | Toshiba Semiconductor and Storage | T0SHIBA | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 970pF @ 10V | - | - | - |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22nC @ 10V | - | - | - |
ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 100µA | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SMD, Flat Lead | - | - | - |
ชื่ออื่น | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
- | - | - |
คำอธิบายโดยละเอียด | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
บรรจุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | +20V, -25V | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6A (Ta) | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | - | - | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | P-Channel | - | - | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 700mW (Ta) | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V | - | - | - |
ชุด | U-MOSVI | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล TPCF8107,LF PDF และเอกสาร Toshiba Semiconductor and Storage สำหรับ TPCF8107,LF - Toshiba Semiconductor and Storage
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที