ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AO3409A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ UMW - AO3409A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ UMW - AO3409A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | UMW | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | |
| ชุด | UMW | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.6A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.4W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 370 pF @ 15 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.6A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ UMW AO3409A
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | AO3409A | AO3409 | AO3407L | AO3409L |
| ผู้ผลิต | UMW | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 9 nC @ 10 V | 9 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 9 nC @ 10 V |
| ชุด | UMW | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 370 pF @ 15 V | 370 pF @ 15 V | 840 pF @ 15 V | 370 pF @ 15 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.6A (Ta) | 2.6A (Ta) | 4.1A (Ta) | 2.6A (Ta) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.4W (Ta) | 1.4W (Ta) | 1.4W (Ta) | 1.4W (Ta) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.6A, 10V | 130mOhm @ 2.6A, 10V | 52mOhm @ 4.1A, 10V | 130mOhm @ 2.6A, 10V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3-SMD, SOT-23-3 Variant | 3-SMD, SOT-23-3 Variant | 3-SMD, SOT-23-3 Variant |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล AO3409A PDF และเอกสาร UMW สำหรับ AO3409A - UMW
AO3407A/AO3407AOSAO3412SIPUSEMIAO3407BAOSAO3409Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3LAO3407LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3AO3411AOAO3411LAOAO3409LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3AO3410/AO3400AAOSAO3413AUMWSOT-23-3 POWER MOSFETS ROHSAO3407A.AOSAO3407ALAOSAO3413Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3LAO3410SIPUSEMIAO3409 MOSAOSAO3408AOSAO3407A MOSALPHAAO3410AAO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที