ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SI2303
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ UMW - SI2303 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ UMW - SI2303
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | UMW | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | |
| ชุด | UMW | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 1.7A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 900mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 155 pF @ 15 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.7A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ UMW SI2303
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SI2303 | SI2303BDS-T1 | SI2303-TP | SI2302DS-T1-GE3 |
| ผู้ผลิต | UMW | Vishay Siliconix | Micro Commercial Co | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 900mW (Ta) | 700mW (Ta) | 250mW (Ta) | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 155 pF @ 15 V | 180 pF @ 15 V | 226 pF @ 100 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23 | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 1.7A, 10V | 200mOhm @ 1.7A, 10V | 180mOhm @ 2A, 4.5V | - |
| ชุด | UMW | - | - | - |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 1.7A (Ta) | 1.49A (Ta) | 3A (Ta) | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SI2303 PDF และเอกสาร UMW สำหรับ SI2303 - UMW
SI2303BDS-T1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3SI2302DS-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI2302DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI2302WCBTOSDSI2303/KF2303KEFANSI2303ADS-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI2303-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI2302G 2.8ATFSI2302DVElectro-Films (EFI) / VishaySI2303BDS-TElectro-Films (EFI) / VishaySI2302DS-TISILICONIXSI2303BDSElectro-Films (EFI) / VishaySI2303-TPMicro Commercial CoMOSFET P-CH 30V 3A SOT23SI2303ADS-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI2303-TP MOSMicro Commercial Components (MCC)SI2302WKEFANSI2302DS-T1-GE3.VISSI2302TKEFAN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที