ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 100MT160PB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 100MT160PB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 100MT160PB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.6 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.51 V @ 100 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 7-MTPB | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 7-MTPB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ประเภทไดโอด | Three Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 100MT160 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 100MT160PB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 100MT160PB | 100MT160PA | 100N03/AP100N03 | 100MT160PAPBF |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IR | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 100MT160 | 100MT160 | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.6 kV | 1.6 kV | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.51 V @ 100 A | 1.51 V @ 100 A | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 7-MTPB | 7-MTPA | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 100 A | 100 A | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 7-MTPB | 7-MTPA | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 100 V | 5 mA @ 100 V | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | - |
| ประเภทไดโอด | Three Phase | Three Phase | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 100MT160PB PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 100MT160PB - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
100MT160PAVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A 7MTPA100N03/AP100N03100MT160PAPBFIRIGBT Module100MT60PAIRIGBT Module
100MXG2200MEFCSN30X30RubyconCAP ALUM 2200UF 20% 100V SNAP100MT140PBIRIGBT Module100MT160KBIRIGBT Module100MT140KBIRIGBT Module100MT140PAIRIGBT Module
100N03MCypress Semiconductor (Infineon Technologies)100N03DJCH
100MT160PA.PBTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT Module100MT160PBPBFIRIGBT Module100MT120PAIRIGBT Module
100MXC1000MEFCSN25X25RubyconCAP ALUM 1000UF 20% 100V SNAP100N03DP/UTC100MT160IRIGBT Module100N03 MOSKEFAN| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที