ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 10ETF06
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETF06 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 10ETF06
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 145 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 10ETF06 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETF06
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 10ETF06 | 10ETS08 | 10ETF12 | 10ETF02STRL |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | 50 µA @ 800 V | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 145 ns | - | 310 ns | 145 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC | TO-263AB (D²PAK) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 10ETF06 | 10ETS08 | 10ETF12 | 10ETF02 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 10 A | 1.1 V @ 10 A | 1.33 V @ 10 A | 1.2 V @ 10 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 1200 V | 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 10A | 10A | 10A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 10ETF06 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 10ETF06 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
10ETF12SPBF MOSIR10ETS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC10ETF06S MOSIR10ETF10PBFIR10ETF06FPPBFIR10ETF04SPBFIR
10ETF12STRLPBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETF02PBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETF12Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC10ETF12SPBFIR10ETF06SPBFIR
10ERB20-TA1B2KYOCERA Corporation10ETF04SPBF MOSIR10ETF12FPPBFElectro-Films (EFI) / Vishay10ETF02STRLVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB10ETF04FPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 400V 10A TO220ACFP10ETF06STRLPBFIR10EL15| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที