ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 110MT120KB
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 110MT120KB คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 110MT120KB
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.2 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 150 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MTK | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MTK |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ประเภทไดโอด | Three Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 110 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 110MT120 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 110MT120KB
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 110MT120KB | 110MT100KB | 110MT160KB | 110MT140KB |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 150 A | 1.4 V @ 150 A | 1.4 V @ 150 A | 1.4 V @ 150 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 110MT120 | 110MT100 | 110MT160 | 110MT140 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MTK | MTK | MTK | MTK |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MTK | MTK | MTK | MTK |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 110 A | 110 A | 110 A | 110 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 1.2 kV | 1 kV | 1.6 kV | 1.4 kV |
| ประเภทไดโอด | Three Phase | Three Phase | Three Phase | Three Phase |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 1200 V | 10 mA @ 1000 V | 10 mA @ 1600 V | 10 mA @ 1400 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 110MT120KB PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 110MT120KB - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
110MT100KPBFIRIGBT Module110MT060KBIRIGBT Module110MT100KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 1KV 110A MTK110MT160MTIRIGBT Module110MT140KPBFIRIGBT Module
110L6P41TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT Module110MT16IRIGBT Module110MT160KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 1.6KV 110A MTK110M30110MT100KIRIGBT Module110MT140KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 1.4KV 110A MTK110MT120KPBFIRIGBT Module110MT020KBIRIGBT Module110MT120IRIGBT Module110MT040KBIRIGBT Module110MT140KIRIGBT Module110MT160PBIRIGBT Module
110MT160KPBFElectro-Films (EFI) / VishayIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที