ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 15TQ060
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 15TQ060 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 15TQ060
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 620 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 800 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 15TQ060 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15TQ060
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 15TQ060 | 1N1184 | 15TQ060STRL | S1FLM-GS08 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | - | 60 V | 1000 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 4pF @ 4V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | DO-203AA, DO-4, Stud | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-219AB |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 15TQ060 | - | 15TQ060 | S1F |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | DO-4 | TO-263AB (D²PAK) | DO-219AB (SMF) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 12A | 15A | 700mA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 800 µA @ 60 V | - | 800 µA @ 60 V | 10 µA @ 1000 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 620 mV @ 15 A | 1.2 V @ 30 A | 620 mV @ 15 A | 1.1 V @ 1 A |
1N1184Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO415TT100IRIGBT Module15TQ060STRLVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB15TQ060STRRPBFIRIGBT Module15TQ060SPBFIRIGBT ModuleS1FLM-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB1N1183RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 12A DO4
1N1660RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 50V 275A DO9
SD103AW-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V SOD12315T-4001HANLYDS15TQ060STRLPBFIRIGBT Module
1N1586Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 16A DO4
MURS340HE3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
15TQ060SPBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay15TQ060STRRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB15TQ060SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB15TQ060PBFIRIGBT Module
1N5416Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที