ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 181NQ045
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 181NQ045 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 181NQ045
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 660 mV @ 180 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-67 HALF-PAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D-67 HALF-PAK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 mA @ 45 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 180A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7800pF @ 5V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 181NQ045 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 181NQ045
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 181NQ045 | 181NQ035 | 181NQ040 | 181M-52LFT |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Renesas Electronics America Inc |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 180A | 180A | 180A | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 mA @ 45 V | 15 mA @ 35 V | 15 mA @ 40 V | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 35 V | 40 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7800pF @ 5V, 1MHz | 7800pF @ 5V, 1MHz | 7800pF @ 5V, 1MHz | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-67 HALF-PAK | D-67 HALF-PAK | D-67 HALF-PAK | 8-SOIC |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D-67 HALF-PAK | D-67 HALF-PAK | D-67 HALF-PAK | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 181NQ045 | 181NQ035 | 181NQ040 | 181M |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 660 mV @ 180 A | 660 mV @ 180 A | 660 mV @ 180 A | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 181NQ045 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 181NQ045 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
181M-52LFTRenesas Electronics America IncIC SS CLOCK GENERATOR 8SOIC1818-8156MX181NQ030IRIGBT Module1819-0727MX181M51LFN/A181NQ035Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 180A D-67181M-01LFTRenesas Electronics America IncIC SS CLOCK GENERATOR 8SOIC1817.2131MENTOR181RKI10IRIGBT Module181NQ040Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 180A D-67181RKI20IRIGBT Module
1819-0876Infineon TechnologiesIC FLASH NOR181RKI80IRIGBT Module1819-0702OKI1818-8480MX181RKI40IRIGBT Module181M-02LFTRenesas Electronics America IncIC SS CLOCK GENERATOR 8SOIC181M02LFN/A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที