ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 183NQ080
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 183NQ080 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 183NQ080
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 180 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-67 HALF-PAK | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D-67 HALF-PAK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 4.5 mA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 180A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 183NQ080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 183NQ080
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 183NQ080 | NSR0140M2T5G | 183NQ100 | NTE6050 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz | 2.5pF @ 1V, 1MHz | 4150pF @ 5V, 1MHz | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D-67 HALF-PAK | SOD-723 | D-67 HALF-PAK | DO-5 |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 183NQ080 | NSR014 | 183NQ100 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 180 A | 350 mV @ 1 mA | 950 mV @ 180 A | 1.25 V @ 20 mA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 4.5 mA @ 80 V | 500 nA @ 30 V | 4.5 mA @ 100 V | 2 mA @ 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D-67 HALF-PAK | SOD-723 | D-67 HALF-PAK | DO-203AA, DO-5, Stud |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Standard |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 180A | 70mA | 180A | 70A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bag |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 30 V | 100 V | 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | Chassis Mount | Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 183NQ080 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 183NQ080 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
183156-1.85GHZSEIP (Sumitomo Electric Interconnect Products)183NQ80IRIGBT ModuleNSR0140M2T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 70MA SOD723
1838274-2TE Connectivity AMP ConnectorsCONN RCPT FMALE 4POS SOLDER CUP
1830703Phoenix ContactTERM BLOCK HDR 13POS VERT 3.81MM183NQ100Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 180A D-67183NQ030IRIGBT Module1837516781NANTE6050NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 70A DO5183NQ100PBFIRIGBT Module183NQ090IRIGBT Module
1830596Phoenix ContactTERM BLOCK HDR 2POS VERT 3.81MM183NQ100RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 180A D-67183NQ80RIRIGBT Module
1N3736RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 200V 275A DO9
MUR1540onsemiDIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2
1N4053RPowerex Inc.DIODE GP REV 700V 275A DO205AB
1830606Phoenix ContactTERM BLOCK HDR 3POS VERT 3.81MM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที