ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4004-E3/73
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4004-E3/73 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4004-E3/73
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4004 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004-E3/73
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4004-E3/73 | 1N4004-T | 1N4004-E3/54 | 1N4004-AP |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | DO-41 | DO-204AL (DO-41) | DO-41 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4004 | 1N4004 | 1N4004 | 1N4004 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4004-E3/73 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N4004-E3/73 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4004 TE85RTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4004-M4TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N4004-BKLITEON
1N4004/S07G1N4004(M4)TDD1N4004 T/RPANJIT1N4004-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1A DO41
1N4004ALAPIS Technology1N4004/M4TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4004-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL1N4004-TBGOODARK1N4004-APMicro Commercial CoInterface1N4004-TRectron USADIODE GEN PURP 1A DO411N4004-BDiodes Incorporated1N4004FSHIKUES1N4004-3Diodes Incorporated1N4004-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 400V 1A DO411N4004 M4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที