ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4738A-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4738A-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4738A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 8.2 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 4.5 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 6 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4738 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4738A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4738A-TAP | 1N4738A | 1N4738A | 1N4738A |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | NTE Electronics, Inc | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 8.2 V | 8.2 V | 8.2 V | 8.2 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4738 | 1N4738 | - | - |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±0.5% | ±5% |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 20°C | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 6 V | 10 µA @ 6 V | 10 µA @ 6 V | 10 µA @ 6 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | - | - | 1.2 V @ 200 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Bag | Box |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 4.5 Ohms | 4.5 Ohms | 4.5 Ohms | 4.5 Ohms |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | DO-41 | Axial | DO-41 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W | 1 W | 1 W | 1 W |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4738A-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N4738A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4738AonsemiDIODE ZENER 8.2V 1W DO411N4738ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 8.2V 1W AXIAL1N4738AEIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE ZENER 8.2V 1W DO411N4739NA
1N4739AFairchild SemiconductorZENER DIODE, 9.1V, 5%, 1W
1N4737A,113NXP USA Inc.DIODE ZENER 7.5V 1W DO411N4739ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 9.1V 1W AXIAL1N4739ATRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 9.1V 1W DO411N4739A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 9.1V 1.3W DO411N4738ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 8.2V 1W DO411N4737ATRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 7.5V 1W 5%1N4739ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 9.1V 1W DO41
1N4738ATAonsemiDIODE ZENER 8.2V 1W DO411N4738AFairchild SemiconductorZENER DIODE, 8.2V, 5%, 1W1N4739AonsemiDIODE ZENER 9.1V 1W DO411N4739AMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N4737ATRonsemiDIODE ZENER 7.5V 1W DO41
1N4737A/10VSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที