ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4750A-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4750A-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4750A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 27 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 35 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 20.6 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4750 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4750A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4750A-TAP | 1N4751A | 1N4750A-TR | 1N4750A |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | DO-41 | DO-204AL (DO-41) | DO-41 |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | 175°C (TJ) | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 20.6 V | 5 µA @ 22.8 V | 5 µA @ 20.6 V | 5 µA @ 20.6 V |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W | 1 W | 1.3 W | 1 W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4750 | 1N4751 | 1N4750 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | - | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 27 V | 30 V | 27 V | 27 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO041, Axial |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 35 Ohms | 40 Ohms | 35 Ohms | 35 Ohms |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4750A-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N4750A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4751STMicroelectronics1N4751AonsemiDIODE ZENER 30V 1W DO411N4750A-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 27V 1.3W DO41
1N4750A-27VTCON
1N4750A-E3/73Electro-Films (EFI) / Vishay1N4750AMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N4750ATRonsemiDIODE ZENER 27V 1W DO411N4750ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 27V 1W DO204AL1N4750AEIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE ZENER 27V 1W DO411N4751ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 30V 1W DO411N4751ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 30V 1W AXIAL1N4750AonsemiDIODE ZENER 27V 1W DO411N475130VSTMicroelectronics
1N4750AFairchild SemiconductorZENER DIODE, 27V, 5%, 1W1N4750ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 27V 1W AXIAL1N4751AEIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE ZENER 30V 1W DO411N4750ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 27V 1W DO411N4750ATRFairchild SemiconductorDIODE ZENER 27V 1W DO41| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที