ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4754A-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4754A-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4754A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 39 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 60 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 29.7 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4754 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4754A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4754A-TAP | 1N4754A | 1N4753A-T | 1N4753A-TR |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W | 1 W | 1.3 W | 1.3 W |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 60 Ohms | 60 Ohms | 1000 Ohms | 50 Ohms |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4754 | - | 1N4753 | 1N4753 |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 39 V | 39 V | 36 V | 36 V |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | - | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 29.7 V | 5 µA @ 29.7 V | 5 µA @ 27.4 V | 5 µA @ 27.4 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | Axial | DO-41 | DO-204AL (DO-41) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | -65°C ~ 20°C | 175°C | 175°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4754A-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N4754A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4754AFairchild SemiconductorZENER DIODE, 39V, 5%, 1W1N4753A-TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 36V 1.3W DO411N4753A-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 36V 1.3W DO41
1N4755Electro-Films (EFI) / Vishay1N4754A-TRVishay1N4755A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 43V 1.3W DO41
1N4755ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 43V 1W AXIAL1N4754ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 39V 1W DO411N4753ATBTC-ON1N4755ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 43V 1W DO411N4754ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 39V 1W AXIAL
1N4755AonsemiDIODE ZENER 43V 1W DO411N4755ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 43V 1W DO204AL1N4754ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 39V 1W DO204AL1N4755A-43VTCON1N4755AFairchild SemiconductorZENER DIODE, 43V, 5%, 1W1N4754AonsemiDIODE ZENER 39V 1W DO411N4754Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที