ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4757A-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4757A-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4757A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 51 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.31 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 95 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 38.8 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4757 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4757A-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4757A-TAP | 1N4757A | 1N4758A | 1N4758A |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Fairchild Semiconductor | NTE Electronics, Inc |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.31 W | 1 W | 1 W | 1 W |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 51 V | 51 V | 56 V | 56 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | DO-41 | Axial | Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 200 mA | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4757 | 1N4757 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | Axial | Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 20°C | -65°C ~ 20°C |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Bulk | Bag |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 38.8 V | 5 µA @ 38.8 V | 5 µA @ 42.6 V | 5 µA @ 42.6 V |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 95 Ohms | 95 Ohms | 110 Ohms | 110 Ohms |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4757A-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N4757A-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4758Electro-Films (EFI) / Vishay1N4757AonsemiDIODE ZENER 51V 1W DO411N4756AMLRC1N4758AFairchild SemiconductorZENER DIODE, 56V, 5%, 1W1N4758ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 56V 1W AXIAL1N4757A 51VFSC1N4757ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 51V 1W DO204AL1N4758A 56VFSC1N4757A-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 51V 1.3W DO411N4758ATaiwan Semiconductor CorporationDIODE ZENER 56V 1W DO204AL1N4758AonsemiDIODE ZENER 56V 1W DO411N4757ATASensitron Semiconductor / SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 51V 1W DO411N4757AFairchild SemiconductorZENER DIODE, 51V, 5%, 1W1N4757A-G_AY_10001-PECPANJIT1N4757ANTE Electronics, IncDIODE ZENER 51V 1W AXIAL1N4758ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 56V 1W DO411N4757ASMC Diode SolutionsDIODE ZENER 51V 1W DO411N4757Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที