ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5239B-T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5239B-T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5239B-T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 9.1 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 600 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 7 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5239 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239B-T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5239B-T | 1N5239B-TR | 1N5239B | 1N5238B |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 9.1 V | 9.1 V | 9.1 V | 8.7 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5239 | 1N5239 | - | 1N5238 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | - | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 7 V | 3 µA @ 7 V | 3 µA @ 7 V | 3 µA @ 6.5 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 600 Ohms | 10 Ohms | 10 Ohms | 8 Ohms |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C | 175°C | - | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | - | DO-35 |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | - | ±5% |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | - | 1.2 V @ 200 mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5239B-T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N5239B-T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N5239B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 9.1V 500MW DO351N5239BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 9.1V, 5%, 0.5W, UNI1N5238BonsemiDIODE ZENER 8.7V 500MW DO35
1N5240BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 10V 500MW DO35
1N5239BMicrochip TechnologyDIODE ZENER
1N5239(9.1V, 0.5W)KI
1N5239B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 9.1V 500MW DO351N5240SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 10V 500MW DO35
1N5239BLT1AMI Semiconductor/onsemi1N5238BMicrochip TechnologyDIODE ZENER
1N5240BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5239BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 9.1V 500MW DO351N5240Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5240BonsemiDIODE ZENER 10V 500MW DO351N5239BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5239BonsemiDIODE ZENER 9.1V 500MW DO351N5240BFairchild SemiconductorZENER DIODE, 10V, 5%, 0.5W, UNID1N5239BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 9.1V 500MW| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที